Принцип роботи діода (пряма провідність, зворотна не-провідність)
Кристалічний діод — це ap{0}}n-перехід, утворений напівпровідниками типу p- і n{2}}типу. Шар просторового заряду утворюється з обох боків межі розділу, і встановлюється вбудоване-електричне поле. Коли зовнішня напруга не застосована, дифузійний струм, спричинений різницею концентрації носіїв на p-n-переході, і дрейфовий струм, спричинений вбудованим-електричним полем, рівні, що призводить до стану електричної рівноваги. Коли застосовано прямий зсув, ефект взаємного компенсації між зовнішнім електричним полем і вбудованим -електричним полем збільшує дифузійний струм носіїв, викликаючи прямий струм (причина провідності). Коли застосовано зворотне зміщення, зовнішнє електричне поле та вбудоване-електричне поле додатково посилюються, утворюючи зворотний струм насичення I0, який не залежить від значення напруги зворотного зміщення в межах певного діапазону зворотної напруги (ось чому він є не-провідним).
Коли прикладена зворотна напруга достатньо висока, напруженість електричного поля в шарі просторового заряду p-n-переходу досягає критичного значення, спричиняючи процес розмноження носіїв, утворюючи велику кількість електронно--пар дірок і створюючи дуже великий зворотний струм пробою, відомий як пробій діода.
